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英飛凌OptiMOS? 6產品組合新增TOLL、TOLG和TOLT封裝的150V MOSFET
- 隨著全球汽車行業(yè)電氣化進程的加速，市場對高效、緊湊且可靠的功率系統(tǒng)的需求持續(xù)增長——不僅乘用車領域如此，電動兩輪車領域亦是如此。這些車輛需要特殊的系統(tǒng)支持，例如xEV上的高壓-低壓DC/DC轉換器和電動兩輪車上的牽引逆變器。此類系統(tǒng)必須在滿足高質量標準的同時，能夠應對技術、商業(yè)和制造方面的多重挑戰(zhàn)。為滿足上述需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日宣布擴展其OptiMOS? 6產品組合，推出新型車規(guī)級150V MOSFET產品系列。新產品專為滿足現(xiàn)代電動汽車的嚴苛要求量身打造，并
- 關鍵字： 英飛凌 MOSFET 汽車電氣化
東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET
- 中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發(fā)電機功率調節(jié)器等工業(yè)設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。 三款新產品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
- 關鍵字： 東芝 SiC MOSFET
東芝與天岳先進達成SiC功率半導體襯底合作協(xié)議
- 據(jù)“天岳先進”官方微信公眾號消息，8月22日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝電子元件”）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）就SiC功率半導體用襯底達成基本合作協(xié)議。雙方將在技術協(xié)作與商業(yè)合作兩方面展開深入合作，具體包括提升SiC功率半導體特性和品質，以及擴大高品質穩(wěn)定襯底供應。未來，雙方將圍繞合作細節(jié)展開進一步磋商。東芝電子元件憑借在鐵路用SiC功率半導體領域的開發(fā)與制造經驗，正加速推進服務器電源用和車載用SiC器件的研發(fā)。未來，東芝電子元件計劃進一步降低SiC功率半導
- 關鍵字： 東芝 天岳先進 SiC 功率半導體襯底
SiC MOSFET 界面陷阱檢測升級：Force-I QSCV 方法詳解
- 電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態(tài)方法適用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因電容更大易導致結果不穩(wěn)定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入 Force-I QSCV 技術，通過施加電流并測量電壓與時間來推導電容，獲得更穩(wěn)定可靠的數(shù)據(jù)。Force-I QSCV 技術在 SiC 功率 MOS 器件上體現(xiàn)出多項優(yōu)勢。比如僅需 1 臺帶前
- 關鍵字： SiC MOSFET 界面陷阱檢測 QSCV 泰克
英飛凌推出采用Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2
- 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應對工業(yè)應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電機、光伏逆變器、不間斷電源、電機驅動和固態(tài)斷路器等。采用Q-DPAK封裝的CoolSiC??MOSFET 1200V G2這款CoolSiC 1200 V G2所采用的技術相較于上一代產品有顯著的提升，可在導通電阻（
- 關鍵字： 英飛凌 CoolSiC MOSFET 1200V
iDEAL與電力系統(tǒng)專家Richardson Electronics, Ltd.簽署SuperQ MOSFET技術合作伙伴協(xié)議
- 繼推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此舉標志著自 25 多年前超級結技術以來，硅 MOSFET 架構的首次重大進步。賓夕法尼亞州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是一家專注于實現(xiàn)突破性效率的無晶圓廠功率半導體公司，該公司宣布將與電力和射頻專家 Richardson Electronics 合作。根據(jù)該協(xié)議，iDEAL 將獲得 Richardson Electronics 的設計團隊和銷售專家的支持，以擴展其基于公司新型專利、最先進 SuperQ 技術
- 關鍵字： iDEAL Richardson SuperQ MOSFET
第三代半導體洗牌GaN躍居主角
- 拓墣產業(yè)研究院最新報告指出，第三代半導體產業(yè)競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應用領域快速崛起。拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規(guī)模將達7.5億美元，年增率高達62.7%，至2030年將擴大至43.8億美元，年復合成長率（CAGR）達42.3%。GaN組件具備優(yōu)異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業(yè)應用外，也加速滲透至智慧城市、無線充電與醫(yī)療設備等新興場景。隨中國大陸等地積極推動產業(yè)自主，全球GaN供應鏈本土化進程加速，各國
- 關鍵字： 第三代半導體 GaN 拓墣產業(yè)研究院 SiC
固態(tài)隔離器如何與MOSFET或IGBT結合以優(yōu)化SSR？
- 固態(tài)繼電器 （SSR） 是各種控制和電源開關應用中的關鍵組件，涵蓋白色家電、供暖、通風和空調 （HVAC） 設備、工業(yè)過程控制、航空航天和醫(yī)療系統(tǒng)。固態(tài)隔離器利用無芯變壓器技術在 SSR 的高壓側和低壓側之間提供隔離。基于 CT 的固態(tài)隔離器 （SSI） 包括發(fā)射器、模塊化部分和接收器或解調器部分。每個部分包含一個線圈，兩個線圈由二氧化硅 （SiO2） 介電隔離柵隔開（圖 1）。磁耦合用于在兩個線圈之間傳輸信號。該技術與標準CMOS處理兼容，可用于分立隔離器或集成柵極驅動器IC。圖 1.分立 SSI 中使
- 關鍵字： 固態(tài)隔離器 MOSFET IGBT 優(yōu)化SSR
Microchip與臺達電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來
- 隨著人工智能（AI）快速發(fā)展與萬物電氣化進程加速，市場對更高的電源效率與可靠性的需求持續(xù)增長。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領導者臺達電子工業(yè)股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下簡稱“臺達電子”）簽署全新合作協(xié)議。雙方將攜手在臺達設計中應用Microchip的mSiC?產品與技術，通過雙方合作加速創(chuàng)新型碳化硅（SiC）解決方案、節(jié)能產品及系統(tǒng)的開發(fā)，助力構建更可持續(xù)的未來。Microchip負責高功
- 關鍵字： Microchip 臺達 碳化硅 SiC 電源管理
iDEAL的SuperQ技術正式量產，推出150V與200V MOSFET
- iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術現(xiàn)已全面量產，首款產品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產品也已進入送樣階段。SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重大突破，在硅功率器件中實現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構突破了硅材料在導通與開關方面的物理瓶頸，將n型導電區(qū)域擴大至高達95%，并將開關損耗較競爭產品降低高達2.1倍。該結構不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時保留了硅材料的諸多優(yōu)勢，包括高強度、量產能力強以及在175°C結溫下的可靠性
- 關鍵字： iDEAL MOSFET SuperQ
選型必看！MOSFET四大非理想?yún)?shù)詳解
- 幾乎所有的書籍資料，在講解MOSFET的時候，都喜歡先從微觀結構去分析MOSFET基于半導體特性的各種結構，然后闡述這些結構導致其參數(shù)的成因。但是這種方式對于物理基礎較弱的應用型硬件工程師是非常不友好的，導致大家看了大量的表述沒有理解，沒有汲取到營養(yǎng)。各種三維、二維的圖形，各式各樣，也不統(tǒng)一。本章節(jié)，我們從應用的角度，來看我們選擇一個開關的器件，當選擇了一個MOSFET之后，他并不是一個完全理想的開關器件。通過其不理想的地方，理解他的一些關鍵參數(shù)。后續(xù)的內容，我們再通過微觀結構去理解一下導致這些參數(shù)的原因
- 關鍵字： 選型指南 MOSFET 無源器件
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